概要：随着电力电子转换系统对于效率和体积明确提出更高的拒绝，SiC（碳化硅）将不会是更加适合的半导体器件。特别是在针对光伏逆变器和UPS应用于，SiC器件是构建其低功率密度的一种十分有效地的手段。本文主要讲解SiC技术优点、缺点及目前应用于层面的一些瓶颈。

　　1.章节　　由于SiC相对于Si的一些独特性，对于SiC技术的研究，可以追溯到上世界70年代。　　非常简单来说，SiC主要在以下3个方面具备显著的优势:　　穿透电压强度低（10倍于Si）　　更加长的能带隙（3倍于Si）　　热导率低（3倍于Si）　　这些特性使得SiC器件更加合适应用于在低功率密度、低电源频率的场合。当然，这些特性也使得大规模生产面对一些障碍，直到2000年初单晶SiC晶片经常出现才开始逐步量产。

目前标准的是4英寸晶片，但是接下来6英寸晶片也要问世，这不会造成成本有显著的上升。

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